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DRV5013 -Q1美国TI霍尔效应传感器工作原理
更新时间:2020-11-10 点击次数:834 次

美国TI霍尔效应传感器 DRV5013 -Q1器件是斩波稳定的霍尔效应传感器,提供了一种磁感应解决方案,在温度范围内具有出色的灵敏度稳定性,并具有集成的保护功能。

2.7至38 V的宽工作电压范围以及高达–22 V的反极性保护使该器件适用。磁场通过数字双极锁存输出指示。该集成电路具有连续开路输出级,具有30mA的电流吸收能力。于各种汽车应用。

提供内部保护功能,用于电源反向供电,负载突降以及输出短路或过电流。

DRV5013 -Q1美国TI霍尔效应传感器工作原理:

霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高,磁场越弱,电压越低。霍尔电压值很小,通常只有几个毫伏,但经集成电路中的放大器放大,就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用,需要用机械的方法来改变磁场强度。下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关,当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时,磁场偏离集成片,霍尔电压消失。这样,霍尔集成电路的输出电压的变化,就能表示出叶轮驱动轴的某一位置,利用这一工作原理,可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器,它要有外加电源才能工作,这一特点使它能检测转速低的运转情况。

DRV5013 -Q1美国TI霍尔效应传感器特点:
符合AEC-Q100的汽车应用要求:
设备HBM ESD分类等级2
设备CDM ESD分类等级C4B
等级1:T甲= -40°C到125°C(Q,参见器械命名)
0级:T甲= -40°C到150°C(E,见器械命名)
数字双极锁存霍尔传感器
出色的温度稳定性
B OP ±10%过量
多种灵敏度选项(B OP / B RP)
1.3 / –1.3 mT(FA,请参见设备术语)
2.7 / –2.7 mT(AD,请参见设备术语)
6 / –6 mT(AG,请参见设备术语)
12 / –12 mT(BC,请参见设备术语)
支持宽电压范围
2.7至38 V
无需外部稳压器
开漏输出(30mA灌电流)
35-s的快速上电时间
小包装和地理位置
表面贴装3针SOT-23(DBZ)
2.92毫米×2.37毫米
通孔3针TO-92(LPG)
4.00毫米×3.15毫米
保护功能
反向电源保护(高达–22 V)
支持高达40V的负载突降
输出短路保护
输出电流限制
OUT对电池保护短路

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