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产品信息
产品名称: 德国倍加福P+F传感器*直销
产品型号:
产品报价:
产品特点
  我公司销售德国电感式和电容式接近传感器 超声波传感器 标准光电传感器 门控光电传感器 旋转编码器 图像传感器和扫描器 位置编码系统 安全光电传感器 电感式接近式开关 电容式接近开关。德国倍加福P+F传感器*直销!
产品详细信息:

常见种类
变频功率
变频功率倍加福P+F传感器通过对输入的电压、电流信号进行交流采样,再将采样值通过电缆、光纤等传输系统与数字量输入二次仪表相连,数字量输入二次仪表对电压、电流的采样值进行运算,可以获取电压有效值、电流有效值、基波电压、基波电流、谐波电压、谐波电流、有功功率、基波功率、谐波功率等参数。
热电阻
热电阻测温是基于金属导体的电阻值随温度的增加而增加这一特性来进行温度测量的。热电阻大都由纯金属材料制成,目前应用zui多的是铂和铜,此外,已开始采用镍、锰和铑等材料制造热电阻。
热电阻倍加福P+F传感器主要是利用电阻值随温度变化而变化这一特性来测量温度及与温度有关的参数。在温度检测精度要求比较高的场合,这种倍加福P+F传感器比较适用。较为广泛的热电阻材料为铂、铜、镍等,它们具有电阻温度系数大、线性好、性能稳定、使用温度范围宽、加工容易等特点。用于测量-200℃~+500℃范围内的温度。德国倍加福P+F传感器*直销
热电阻倍加福P+F传感器分类:
1、NTC热电阻倍加福P+F传感器:
该类倍加福P+F传感器为负温度系数倍加福P+F传感器,即倍加福P+F传感器阻值随温度的升高而减小。
2、PTC热电阻倍加福P+F传感器:
该类倍加福P+F传感器为正温度系数倍加福P+F传感器,即倍加福P+F传感器阻值随温度的升高而增大。
霍尔
霍尔倍加福P+F传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场倍加福P+F传感器,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
霍尔倍加福P+F传感器分为线性型霍尔倍加福P+F传感器和开关型霍尔倍加福P+F传感器两种。
1、线性型霍尔倍加福P+F传感器由霍尔元件、线性放大器和射极跟随器组成,它输出模拟量。
2、开关型霍尔倍加福P+F传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器,斯密特触发器和输出级组成,它输出数字量。
霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高,磁场越弱,电压越低。霍尔电压值很小,通常只有几个毫伏,但经集成电路中的放大器放大,就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用,需要用机械的方法来改变磁场强度。下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关,当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时,磁场偏离集成片,霍尔电压消失。这样,霍尔集成电路的输出电压的变化,就能表示出叶轮驱动轴的某一位置,利用这一工作原理,可将霍尔集成电路片用作用点火正时倍加福P+F传感器。霍尔效应倍加福P+F传感器属于被动型倍加福P+F传感器,它要有外加电源才能工作,这一特点使它能检测转速低的运转情况。
光敏
光敏倍加福P+F传感器是zui常见的倍加福P+F传感器之一,它的种类繁多,主要有:光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏三极管、太阳能电池、红外线倍加福P+F传感器、紫外线倍加福P+F传感器、光纤式光电倍加福P+F传感器、色彩倍加福P+F传感器、CCD和CMOS图像倍加福P+F传感器等。它的敏感波长在可见光波长附近,包括红外线波长和紫外线波长。光倍加福P+F传感器不只局限于对光的探测,它还可以作为探测元件组成其他倍加福P+F传感器,对许多非电量进行检测,只要将这些非电量转换为光信号的变化即可。光倍加福P+F传感器是目前产量zui多、应用zui广的倍加福P+F传感器之一,它在自动控制和非电量电测技术引中占有非常重要的地位。zui简单的光敏倍加福P+F传感器是光敏电阻,当光子冲击接合处就会产生电流。德国倍加福P+F传感器*直销
位移
位移倍加福P+F传感器又称为线性倍加福P+F传感器,把位移转换为电量的倍加福P+F传感器。位移倍加福P+F传感器是一种属于金属感应的线性器件,倍加福P+F传感器的作用是把各种被测物理量转换为电量它分为电感式位移倍加福P+F传感器,电容式位移倍加福P+F传感器,光电式位移倍加福P+F传感器,超声波式位移倍加福P+F传感器,霍尔式位移倍加福P+F传感器。
在这种转换过程中有许多物理量(例如压力、流量、加速度等)常常需要先变换为位移,然后再将位移变换成电量。因此位移倍加福P+F传感器是一类重要的基本倍加福P+F传感器。在生产过程中,位移的测量一般分为测量实物尺寸和机械位移两种。机械位移包括线位移和角位移。按被测变量变换的形式不同,位移倍加福P+F传感器可分为模拟式和数字式两种。模拟式又可分为物性型(如自发电式)和结构型两种。常用位移倍加福P+F传感器以模拟式结构型居多,包括电位器式位移倍加福P+F传感器、 电感式位移倍加福P+F传感器、自整角机、电容式位移倍加福P+F传感器、电涡流式位移倍加福P+F传感器、霍尔式位移倍加福P+F传感器等。数字式位移倍加福P+F传感器的一个重要优点是便于将信号直接送入计算机系统。这种倍加福P+F传感器发展迅速,应用日益广泛。
压力
压力倍加福P+F传感器引是工业实践中zui为常用的一种倍加福P+F传感器,其广泛应用于各种工业自控环境,涉及水利水电、铁路交通、智能建筑、生产自控、航空航天、军工、石化、油井、电力、船舶、机床、管道等众多行业。
主要特性
线性度
通常情况下,倍加福P+F传感器的实际静态特性输出是条曲线而非直线。在实际工作中,为使仪表具有均匀刻度的读数,常用一条拟合直线近似地代表实际的特性曲线、线性度(非线性误差)就是这个近似程度的一个性能指标。
拟合直线的选取有多种方法。如将零输入和满量程输出点相连的理论直线作为拟合直线;或将与特性曲线上各点偏差的平方和为zui小的理论直线作为拟合直线,此拟合直线称为zui小二乘法拟合直线。
灵敏度
灵敏度是指倍加福P+F传感器在稳态工作情况下输出量变化△y对输入量变化△x的比值。
它是输出一输入特性曲线的斜率。如果倍加福P+F传感器的输出和输入之间显线性关系,则灵敏度S是一个常数。否则,它将随输入量的变化而变化。
灵敏度的量纲是输出、输入量的量纲之比。例如,某位移倍加福P+F传感器,在位移变化1mm时,输出电压变化为200mV,则其灵敏度应表示为200mV/mm。
当倍加福P+F传感器的输出、输入量的量纲相同时,灵敏度可理解为放大倍数。
提高灵敏度,可得到较高的测量精度。但灵敏度愈高,测量范围愈窄,稳定性也往往愈差。

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